5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 0.1 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1SS82TDX | HITACHI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
获取价格 |
|
| 1SS82TE | HITACHI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
获取价格 |
|
| 1SS83 | SEMTECH | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
获取价格 |
|
| 1SS83 | RENESAS | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
获取价格 |
|
| 1SS83 | HITACHI | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
获取价格 |
|
| 1SS83 | SUNMATE | Switching Diodes Switch detector |
获取价格 |
|
全球首块英伟达H200交付 黄仁勋“送货上门”
常用8脚开关电源芯片型号大全
74HC04芯片引脚图及功能、应用电路图讲解
CR6842芯片参数、引脚配置、应用电路图详解
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
