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HER506GD1

更新时间： 2024-01-08 11:39:18
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE 功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 492K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-27, 2 PIN

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HER506GD1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：DO-27, 2 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.61其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：2.5 µA
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HER506GD1 数据手册

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RoHS  
HER501G THRU HER508G  
COMPLIANT  
High Efficient Rectifier  
Features  
● High efficiency  
● High current capability  
● High Reliability  
● High surge current capability  
● Glass passivated chip junction  
● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106  
Mechanical Data  
● Package: DO-201AD(DO-27)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-  
002 and JESD22-B102  
●
Color band denotes cathode end  
Polarity:  
(Ta=25℃ Unless otherwise specified）  
■Maximum Ratings  
HER501 HER502 HER503 HER504 HER505 HER506 HER507 HER508  
PARAMETER  
SYMBOL UNIT  
G
G
G
G
G
G
G
G
HER501 HER502 HER503 HER504 HER505 HER506 HER507 HER508  
Device marking code  
G
G
G
G
G
G
G
G
VRRM  
V
A
50  
100  
200  
300  
400  
600  
800  
1000  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Average Forward Current  
@60Hz sine wave, Resistance load, Ta=50℃  
IF(AV)  
5.0  
Forward Surge Current(Non-repetitive)  
@60Hz Half-sine wave, 1 cycle, Ta=25℃  
IFSM  
A
150  
T
℃
℃
-55 ~+150  
-55~+150  
Storage Temperature  
Junction Temperature  
stg  
T
j
（T =25℃ Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
HER501 HER502 HER503 HER504 HER505 HER506 HER507 HER508  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT TEST CONDITIONS  
G
G
G
G
G
G
G
G
Maximum instantaneous  
forward voltage drop per diode  
VFM  
IFM=5.0A  
V
1.0  
1.3  
1.7  
IRRM1  
IRRM2  
T =25℃  
2.5  
a
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
per diode  
μA  
T =100℃  
a
150  
IF=0.5A IR=1A  
IRR=0.25A  
Reverse Recovery time  
Typicaljunctioncapacitance  
t
ns  
50  
85  
75  
60  
rr  
Measured at 1MHZ  
and Applied Reverse  
Voltage of 4.0 V.D.C.  
Cj  
pF  
Thermal Characteristics （T =25℃ Unless otherwise specified）  
■
a
HER501G HER502G HER503G HER504G HER505G HER506G HER507G HER508G  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Rθ  
20  
Thermal Resistance(Typical)  
J-A  
℃/W  
1 / 4  
S-A288  
Rev. 2.1, 21-Jan-15  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
1234

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