HER506-TB

更新时间： 2024-01-15 06:20:50

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WTE		二极管
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4页	59K
描述
5.0A ULTRAFAST DIODE

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HER506-TB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-201AD	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.17	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	湿度敏感等级：	2
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.075 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

HER506-TB 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

HER501 – HER508

5.0A ULTRAFAST DIODE

Features

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Mechanical Data

Case: DO-201AD, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

Weight: 1.2 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Marking: Type Number

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

DO-201AD

Min

Dim

Max

—

25.4

7.20

9.50

1.30

5.30

1.20

4.80

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

HER

501

HER

502

HER

503

HER

504

HER

505

HER

506

HER

507

HER

508

Characteristic

Symbol

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

140

300

210

400

280

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

Average Rectified Output Current

(Note 1)

5.0

@T_A= 55°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I^FSM

150

Forward Voltage

@I_F= 5.0A

V^FM

I^RM

1.0

1.3

1.7

Peak Reverse Current

@T_A= 25°C

100

µA

At Rated DC Blocking Voltage @T_A= 100°C

Reverse Recovery Time (Note 2)

Typical Junction Capacitance (Note 3)

Operating Temperature Range

t^rr

C^j

°C

T^j

-65 to +125

-65 to +150

Storage Temperature Range

T^STG

Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case

2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. See figure 5.

3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

HER501 – HER508

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与HER506-TB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HER506-TB-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P
HER506U21	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER506U22	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER506U23	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER506U26	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER506U27	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER507	MCC	获取价格	5.0 Amp High Efficient Rectiffiers 50 to 1000 Volts
HER507	MOSPEC	获取价格	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(5.0A,600-1000V)
HER507	BYTESONIC	获取价格	5.0 AMP HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
HER507	FORMOSA	获取价格	5.0 AMP HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS

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