Datasheet > HER506GPT

HER506GPT

更新时间： 2024-02-04 16:36:01

品牌	Logo	应用领域
力勤 - CHENMKO		功效
页数	文件大小	规格书
2页	87K
描述
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HER506GPT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-201AD	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.17	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	湿度敏感等级：	2
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.075 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

HER506GPT 数据手册

HER501GPT

THRU

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD

GLASS PASSIVATED

HIGH EFFICIENCY RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 50 - 1000 Volts CURRENT 5.0 Amperes

HER508GPT

FEATURES

* Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

* Low power loss, high efficiency

* Low leakage

* High current capability

* High speed switching

DO-201AD

* High current surge

* High reliability

* Glass passivated junction

* High temperature soldering guaranteed :

260^oC/10 seconds at terminals

0.052(1.3)

DIA.

0.048(1.2)

1.0(25.4)

MIN.

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC DO-201AD molded plastic

Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity: Indicated by cathode band

Weight: 1.20 grams

0.375(9.5)

0.335(8.5)

0.220(5.6)

DIA.

0.197(5.0)

1.0(25.4)

MIN.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 HZ, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Dimensions in inches and (millimeters)

DO-201AD

MAXIMUM RATINGES ( At TA = 25^oC unless otherwise noted )

HER501GPT HER502GPT HER503GPT HER504GPT HER505GPT HER506GPTHER507GPT

HER508GPT

1000

700

RATINGS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

SYMBOL

VRRM

UNITS

Volts

100

200

140

200

300

210

300

400

280

400

600

420

600

800

560

800

VRMS

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

100

1000

Maximum Average Forward Rectified Current at TA = 50^oC

5.0

Amps

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

IFSM

250

Typical Junction Capacitance (Note 1)

^oC

Operating and Storage Temperature Range

TJ, TSTG

-65 to +175

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( At TA = 25^oC unless otherwise noted )

HER501GPT HER502GPT HER503GPT HER504GPT HER505GPT HER506GPTHER507GPT

HER508GPT

CHARACTERISTICS

SYMBOL

UNITS

Volts

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 5.0 A DC

1.0

1.3

1.70

Maximum DC Reverse Current

uAmps

at Rated DC Blocking Voltage at TA = 25^oC

Maximum Full Load Reverse Current Average,

150

Full Cycle 0.375" (9.5mm) lead length at TL = 55^oC

Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)

trr

nSec

2001-6

NOTES : 1. Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 4.0 volts

2. Test Conditions : IF = 0.5 A, IR = -1.0 A, IRR = -0.25 A

下载PDF

与HER506GPT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HER506GP-TP-HF	MCC	暂无描述	获取价格
HER506GR	SECOS	Voltage 50 ~ 1000 V 5Amp Glass Passivated High Efficiency Rectifiers	获取价格
HER506H32	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,	获取价格
HER506H33	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,	获取价格
HER506H36-3	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,	获取价格
HER506H36-4	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HER506GPT

HER506GPT 技术参数

HER506GPT 数据手册

与HER506GPT相关器件

与HER506GPT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HER506GPT

HER506GPT 技术参数

HER506GPT 数据手册

与HER506GPT相关器件

与HER506GPT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？