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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> HER203G-T3-LF
HER203G-T3-LF PDF预览

HER203G-T3-LF

更新时间： 2024-01-31 10:43:33
品牌 Logo 应用领域
WTE 整流二极管超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 58K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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HER203G-T3-LF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-15包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.05Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-15JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

HER203G-T3-LF 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
Pb  
HER201G – HER208G  
2.0A GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE  
Features  
!
Glass Passivated Die Construction  
!
!
!
!
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
A
B
A
High Surge Current Capability  
Mechanical Data  
C
!
!
Case: DO-15, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 0.40 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
D
DO-15  
Dim  
A
Min  
25.4  
5.50  
0.71  
2.60  
Max  
—
!
!
!
!
!
B
7.62  
0.864  
3.60  
C
D
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
HER  
HER  
HER  
HER  
HER  
HER  
HER  
HER  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
201G 202G 203G 204G 205G 206G 207G 208G  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
300  
210  
400  
280  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
2.0  
60  
@TA = 55°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
A
Forward Voltage  
@IF = 2.0A  
VFM  
IRM  
1.0  
1.3  
1.7  
V
Peak Reverse Current  
@TA = 25°C  
5.0  
100  
µA  
At Rated DC Blocking Voltage @TA = 100°C  
Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
Operating Temperature Range  
trr  
Cj  
50  
60  
75  
40  
nS  
pF  
°C  
°C  
Tj  
-65 to +150  
-65 to +150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case  
2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. See figure 5.  
3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
HER201G – HER208G  
1 of 4  
© 2006 Won-Top Electronics  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HER203G-TB WTE

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 		2.0A GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE
HER203G-TB-LF WTE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLIANT, PLAS
HER203GT-G COMCHIP

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 		High Efficiency Rectifiers
HER203H11 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15,
HER203-LFR FRONTIER

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 		2A ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
HER203M11 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15,

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