生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.69 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压: | 90 V |
最大漏极电流 (ID): | 2 A | 最大漏源导通电阻: | 3.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 10 pF |
JESD-30 代码: | R-CDSO-N6 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HCT801TXV | TTELEC |
获取价格 |
Dual Enhancement Mode MOSFET | |
HCT802 | TTELEC |
获取价格 |
Dual Enhancement Mode MOSFET | |
HCT802 |
获取价格 |
Dual En hance ment Mode MOSFET | ||
HCT802TX |
获取价格 |
Dual En hance ment Mode MOSFET | ||
HCT802TXV |
获取价格 |
Dual En hance ment Mode MOSFET | ||
HCT810 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 10MA I(D) | LLCC | |
HCT90 | ETC |
获取价格 |
Optoelectronic | |
HCT9046 | NXP |
获取价格 |
PLL with bandgap controlled VCO | |
HCTA-CC | OKI |
获取价格 |
Create Your Own Rework System | |
HCTA-NW1 | OKI |
获取价格 |
Create Your Own Rework System |