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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.75 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HCT801 | TTELEC |
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Dual Enhancement Mode MOSFET |
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| HCT801TX | TTELEC |
获取价格 |
Dual Enhancement Mode MOSFET |
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| HCT801TXV | TTELEC |
获取价格 |
Dual Enhancement Mode MOSFET |
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| HCT802 | TTELEC |
获取价格 |
Dual Enhancement Mode MOSFET |
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| HCT802 |
获取价格 |
Dual En hance ment Mode MOSFET |
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| HCT802TX |
获取价格 |
Dual En hance ment Mode MOSFET |
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| HCT802TXV |
获取价格 |
Dual En hance ment Mode MOSFET |
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| HCT810 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 10MA I(D) | LLCC |
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| HCT90 | ETC |
获取价格 |
Optoelectronic |
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| HCT9046 | NXP |
获取价格 |
PLL with bandgap controlled VCO |
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