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HC6856/1SSRAC

更新时间： 2024-01-04 17:35:30

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霍尼韦尔 - HONEYWELL		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	743K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

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HC6856/1SSRAC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.69
最长访问时间：	40 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	35.56 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535V;38534K;883S	座面最大高度：	4.445 mm
最大待机电流：	0.0004 A	最小待机电流：	2.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.0075 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	总剂量：	200k Rad(Si) V
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HC6856/1SSRAT	ETC	x8 SRAM	获取价格
HC6856/1SSRZC	HONEYWELL	Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28	获取价格
HC6856/1SSRZT	HONEYWELL	Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28	获取价格
HC6856/1SVHAC	HONEYWELL	Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28	获取价格
HC6856/1SVHAT	HONEYWELL	Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28	获取价格
HC6856/1SVHZC	HONEYWELL	Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28	获取价格