是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | DFP, FL36,.6,25 | 针数: | 36 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-CDFP-F36 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 16.002 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 36 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL36,.6,25 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535V;38534K;883S |
座面最大高度: | 3.5052 mm | 最大待机电流: | 0.0003 A |
最小待机电流: | 2.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.008 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
总剂量: | 1M Rad(Si) V | 宽度: | 16.002 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HC6364/1SSHAC | ETC |
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x8 SRAM | |
HC6364/1SSHAT | ETC |
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x8 SRAM | |
HC6364/1SSHBC | ETC |
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x8 SRAM | |
HC6364/1SSHBT | ETC |
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x8 SRAM | |
HC6364/1SSHCC | ETC |
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x8 SRAM | |
HC6364/1SSHCT | ETC |
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x8 SRAM | |
HC6364/1SSHDC | ETC |
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x8 SRAM | |
HC6364/1SSHDT | ETC |
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x8 SRAM | |
HC6364/1SSHZC | ETC |
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x8 SRAM | |
HC6364/1SSHZT | ETC |
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x8 SRAM |