HAT1016R-EL-E

更新时间： 2024-02-18 04:30:50

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
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8页	97K
描述
Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching

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HAT1016R-EL-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOP
包装说明：	3.95 X 4.90 MM, PLASTIC, FP-8DAV, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT1016R

Silicon P Channel Power MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1142-0700

(Previous: ADE-208-471E)

Rev.7.00

Sep 07, 2005

Features

•

Low on-resistance

Capable of 4 V gate drive

Low drive current

High density mounting

Outline

RENESAS Package code: PRSP0008DD-D

(Package name: SOP-8 <FP-8DAV> )

7 8

D D

5 6

D D

1, 3

2, 4

5, 6, 7, 8

Source

Gate

Drain

S 1

S 3

MOS1

MOS2

Rev.7.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HAT1020	HITACHI	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT1020R	HITACHI	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT1020R	RENESAS	Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching	获取价格
HAT1020REL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.13ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi	获取价格
HAT1020REL	RENESAS	暂无描述	获取价格
HAT1020R-EL-E	RENESAS	Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching	获取价格