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HAT1004F

更新时间： 2022-01-18 17:02:00

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HAT1004F

Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit Test conditions

———————————————————————————————————————————

Drain to source breakdown

–20

—

= –10 mA, V

= 0

(BR)DSS

voltage

———————————————————————————————————————————

Gate to source breakdown

±10

—

I = ±200 µA, V = 0

(BR)GSS

G DS

voltage

———————————————————————————————————————————

Gate to source leak current

—

±10

µA

= ±6.5 V, V

= 0

GSS

———————————————————————————————————————————

Zero gate voltage drain current

—

–10

µA

= –20 V, V

= 0

DSS

———————————————————————————————————————————

Gate to source cutoff voltage

———————————————————————————————————————————

–0.5

—

–1.5

= –10 V, I = –1 mA

GS(off)

Static drain to source on state

—

0.1

0.12

Ω

I = –2A

DS(on)

resistance

= –4V *

————————————————————————

—

0.14

0.2

Ω

I = –2A

= –2.5V *

———————————————————————————————————————————

Forward transfer admittance

|y |

3.5

5.5

—

I = –2 A

= - 10 V *

———————————————————————————————————————————

Input capacitance

Ciss

—

750

—

= –10 V

————————————————————————————————

Output capacitance

Coss

—

500

—

= 0

————————————————————————————————

Reverse transfer capacitance

Crss

—

190

—

f = 1 MHz

———————————————————————————————————————————

Turn–on delay time

—

= –4 V, I = –2 A

on)

————————————————————————————————

Rise time

—

125

—

= –10 V

————————————————————————————————

Turn–off delay time

—

135

—

off)

————————————————————————————————

Fall time

—

135

—

———————————————————————————————————————————

Body–drain diode forward

—

–0.9

—

I = –2.5 A, V

= 0

voltage

———————————————————————————————————————————

Body–drain diode reverse

trr

—

I = –2.5 A, V

= 0

recovery time

diF / dt = 20A / µs

———————————————————————————————————————————

* Pulse Test

123 4 5 6

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