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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HAT1016R-EL-E | RENESAS | Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching |
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| HAT1020 | HITACHI | Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| HAT1020R | HITACHI | Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| HAT1020R | RENESAS | Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching |
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| HAT1020REL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.13ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| HAT1020REL | RENESAS | 暂无描述 |
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