Datasheet > 2SK3018

2SK3018

更新时间： 2024-01-18 18:12:38

品牌	Logo	应用领域
桂微 - GSME		/
页数	文件大小	规格书
3页	303K
描述
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3018 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3018 数据手册

桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

2SK3018

SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)

N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs

N 沟道增强型 MOS 场效应管

■MAXIMUM RATINGS 最大額定值

Characteristic 特性參數

Symbol 符號

BV_DSS

V_GS

Max 最大值

Unit 單位

Drain-Source Voltage

漏極-源極電壓

Gate- Source Voltage

栅極-源極電壓

+20

100

400

Drain Current (continuous)

漏極電流-連續

I_DR

Drain Current (pulsed)

漏極電流-脉冲

I_DRM

■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性

Characteristic 特性

Symbol

符號

Max

最大值

Unit

單位

Total Device Dissipation 總耗散功率

200

T =25℃環境溫度爲 25℃

Derate above25℃ 超過 25℃遞減

1.8

mW/℃

℃/W

R_Θ

Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻

417

Junction and Storage Temperature

結溫和儲存溫度

T_J,T_stg

150℃,-55to+150℃

12 3

下载PDF

与2SK3018相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK3018(SOT-23)	JCST	Transistor	获取价格
2SK3018(SOT-323)	JCST	Transistor	获取价格
2SK3018_1	ROHM	2.5V Drive Nch MOS FET	获取价格
2SK3018_15	GSME	SOT-23 Field Effect Transistors	获取价格
2SK3018KWJ	YANGJIE	SOT-323	获取价格
2SK3018LT1	WILLAS	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOS FETS	获取价格