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GS9012

更新时间： 2024-01-23 15:52:25

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其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	42K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-226AA

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GS9012 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.44
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	144	JEDEC-95代码：	TO-226AA
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

GS9012 数据手册

GS9012

Small Signal Transistors (PNP)

TO-226AA (TO-92)

0.142 (3.6)

0.181 (4.6)

Features

• PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching

and amplifier applications. Especially suitable for AF-

driver stages and low power output stages such as

portable radios in class-B push-pull operation.

• Complementary to GS9013

Mechanical Data

Case: TO-92 Plastic Package

Weight: approx. 0.18g

Packaging Codes/Options:

E6/Bulk-5K per container, 20K per box

E7/4K per Ammo mag., 20K per box

max.

0.022 (0.55)

0.098 (2.5)

Bottom

View

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

–40

–20

–5

Collector Current

–500

°C/W

°C

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Junction Temperature

P_tot

625⁽¹⁾

200⁽¹⁾

150

R_θJA

T_j

Storage Temperature Range

T_S

–55 to +150

°C

Notes:

(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2mm from case

5/8/00

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与GS9012相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GS9012/E6	ETC	获取价格	BJT
GS9012/E7	ETC	获取价格	BJT
GS9012D	VISHAY	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226A
GS9012D/E6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
GS9012D/E7	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
GS9012E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
GS9012E/E6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
GS9012E/E7	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
GS9012F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
GS9012F/E6	VISHAY	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226A