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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.44 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 64 |
| JEDEC-95代码： | TO-226AA | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.625 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GS9012D/E6 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
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| GS9012D/E7 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
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| GS9012E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
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| GS9012E/E6 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
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| GS9012E/E7 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
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| GS9012F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
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| GS9012F/E6 | VISHAY |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226A |
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| GS9012F/E7 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
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| GS9012G | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226A |
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| GS9012G/E6 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226A |
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