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GS9013F/E6

更新时间： 2024-01-23 09:52:08

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GS9013F/E6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.44
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	96
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

GS9013F/E6 数据手册

GS9013

New Product

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Small Signal Transistors (NPN)

TO-226AA ( TO-92)

0.142 (3.6)

0.181 (4.6)

Features

• NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching

and amplifier applications. Especially suitable for AF-

driver stages and low power output stages such as

portable radios in class-B push-pull operation.

• Complementary to GS9012

Mechanical Data

Case: TO-92 Plastic Package

Weight: approx. 0.18g

Packaging Codes/Options:

E6/Bulk- 5K per container, 20K per box

E7/4K per Ammo mag., 20K per box

max.

0.022 (0.55)

0.098 (2.5)

Bottom

View

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

500

°C/W

°C

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Junction Temperature

P_tot

625⁽¹⁾

200⁽¹⁾

150

R_θJA

T_j

Storage Temperature Range

T_S

–55 to +150

°C

Notes:

(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2mm from case

Document Number 88196

10-May-02

www.vishay.com

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