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GS88218CB-300M

更新时间： 2024-01-29 17:01:33

品牌	Logo	应用领域
GSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	502K
描述
Cache SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, FPBGA-119

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GS88218CB-300M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA,
针数：	119	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	5.7
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT AS 3.3 V SUPPLY
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	长度：	22 mm
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.99 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm

GS88218/36CB-300M

GS88218/36CD-300M

GS88218/36C Block Diagram

A0–An

Counter

Load

LBO

ADV

Memory

Array

ADSC

ADSP

Power Down

Control

DQx1–DQx9

Note: Only x36 version shown for simplicity.

Rev: 1.00 1/2011

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Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GS88218CB-300MT	GSI	Cache SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, FPBGA-119	获取价格
GS88218CB-300T	GSI	Cache SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, FPBGA-119	获取价格
GS88218CB-333	GSI	119 BGA	获取价格
GS88218CB-333I	GSI	119 BGA	获取价格
GS88218CB-333T	GSI	Cache SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PBGA119, FPBGA-119	获取价格
GS88218CD-150	GSI	Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	获取价格