是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.21 |
最长访问时间: | 0.45 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 500 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 15 mm | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | DDR SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.5/1.8,1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大待机电流: | 0.26 A |
最小待机电流: | 1.7 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.76 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GS8662TT06BGD-350 | GSI | 165 BGA |
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GS8662TT06BGD-350I | GSI | 165 BGA |
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GS8662TT06BGD-400 | GSI | 165 BGA |
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GS8662TT06BGD-400I | GSI | 165 BGA |
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GS8662TT06BGD-450 | GSI | 165 BGA |
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GS8662TT06BGD-450I | GSI | 165 BGA |
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