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GS8662T36BGD-167

更新时间： 2024-02-01 16:06:24
品牌 Logo 应用领域
GSI 双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
37页 1280K
描述
DDR SRAM, 2MX36, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

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GS8662T36BGD-167 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
针数：165Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.69最长访问时间：0.5 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITEJESD-30 代码：R-PBGA-B165
JESD-609代码：e1长度：15 mm
内存密度：75497472 bit内存集成电路类型：DDR SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：165
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX36
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：13 mm
Base Number Matches：1

GS8662T36BGD-167 数据手册

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Preliminary  
GS8662T08/09/18/36BD-400/350/333/300/250  
4M x 18 SigmaDDR-II SRAM—Top View  
1
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3
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10  
11  
NC/SA  
(144Mb)  
A
B
CQ  
SA  
SA  
R/W  
BW1  
K
LD  
SA  
SA  
CQ  
NC/SA  
(288Mb)  
NC  
DQ9  
NC  
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K
BW0  
SA  
SA  
NC  
NC  
DQ8  
C
D
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F
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Doff  
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NC  
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TDO  
NC  
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SA0  
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K
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SA  
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NC  
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M
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P
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DQ16  
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SA  
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C
SA  
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NC  
SA  
SA  
SA  
SA  
NC  
DQ0  
TDI  
TCK  
C
TMS  
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm Body—1 mm Bump Pitch  
Notes:  
1. BW0 controls writes to DQ0:DQ8; BW1 controls writes to DQ9:DQ17.  
2. A7 and B5 are the expansion addresses.  
Rev: 1.01 11/2010  
3/37  
© 2010, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...37

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与GS8662T36BGD-167相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GS8662T36BGD-167I GSI

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 		DDR SRAM, 2MX36, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
GS8662T36BGD-167IT GSI

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 		DDR SRAM, 2MX36, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
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