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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LBGA, BGA165,11X15,40 | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | Factory Lead Time： | 8 weeks |
| 风险等级： | 5.49 | 最长访问时间： | 0.45 ns |
| 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 15 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | DDR SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 165 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 最大待机电流： | 0.22 A | 最小待机电流： | 1.7 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.6 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 13 mm |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GS8662Q07BD-200I | GSI | 165 BGA |
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| GS8662Q07BD-250 | GSI | 165 BGA |
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| GS8662Q07BD-250I | GSI | 165 BGA |
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| GS8662Q07BD-300 | GSI | DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
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| GS8662Q07BD-300I | GSI | DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
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| GS8662Q07BD-300IT | GSI | DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
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