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GS8342T18E-300I PDF预览

GS8342T18E-300I

更新时间： 2024-02-25 12:12:47
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
37页 1722K
描述
36Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 2 SRAM

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GS8342T18E-300I 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA,针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.76
最长访问时间：0.45 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：R-PBGA-B165长度：17 mm
内存密度：37748736 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：165
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX18
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15 mmBase Number Matches：1

GS8342T18E-300I 数据手册

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Preliminary  
GS8342T08/09/18/36E-333/300/267*/250/200/167  
4M x 8 SigmaCIO DDR-II SRAM—Top View  
1
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3
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5
6
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8
9
10  
11  
MCL/SA  
(72Mb)  
A
CQ  
SA  
R/W  
NW1  
K
NC  
LD  
SA  
SA  
CQ  
B
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NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
Doff  
NC  
NC  
NC  
NC  
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TDO  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
SA  
NC  
SA  
K
NW0  
SA  
SA  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
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DQ3  
NC  
NC  
DQ2  
NC  
NC  
ZQ  
V
V
SA  
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NC  
V
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V
V
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V
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DD  
DD  
DD  
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DD  
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SS  
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SS  
SS  
SS  
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SS  
SS  
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DD  
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DD  
DQ4  
NC  
V
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V
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DDQ  
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V
V
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G
H
J
DQ5  
V
V
V
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V
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REF  
REF  
DDQ  
DDQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
DQ7  
SA  
NC  
DQ1  
NC  
NC  
DQ0  
NC  
NC  
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TDI  
K
L
V
NC  
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NC  
SA  
NC  
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DQ6  
NC  
V
V
V
V
V
DDQ  
SS  
SS  
SS  
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M
N
P
R
V
V
NC  
SS  
SS  
SS  
SS  
NC  
V
SA  
SA  
SA  
SA  
C
SA  
SA  
SA  
V
NC  
NC  
SA  
SA  
SA  
SA  
NC  
TCK  
C
TMS  
2
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm Body—1 mm Bump Pitch  
Notes:  
1. Unlike the x36 and x18 versions of this device, the x8 and x9 versions do not give the user access to A0 and A1. SA0 is set to 0 at the  
beginning of each access.  
2. NW0 controls writes to DQ0:DQ3; NW1 controls writes to DQ4:DQ7  
3. MCL = Must Connect Low  
Rev: 1.02 8/2005  
5/37  
© 2003, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
12345678...37

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与GS8342T18E-300I相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GS8342T18E-300IT GSI Standard SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

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GS8342T18E-333 GSI 36Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 2 SRAM

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GS8342T18GE-167IT GSI Standard SRAM, 2MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-

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