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GS8342D07BD-450IT

更新时间： 2024-01-04 13:11:37

品牌	Logo	应用领域
GSI		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	407K
描述
QDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, BGA-165

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GS8342D07BD-450IT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40
针数：	165	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.19	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	450 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	长度：	15 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	QDR SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5/1.8,1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大待机电流：	0.25 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.795 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

GS8342D07BD-450IT 数据手册

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GS8342D07/10/19/37BD-450/400/350/333/300

450 MHz–300 MHz

36Mb SigmaQuad-II+^TM

Burst of 4 SRAM

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

1.8 V V

1.8 V and 1.5 V I/O

are just one element in a family of low power, low voltage

HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to

implement economical high performance networking systems.

Features

• 2.0 Clock Latency

• Simultaneous Read and Write SigmaQuad™ Interface

• JEDEC-standard pinout and package

• Dual Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 4 Read and Write

• On-Die Termination (ODT) on Data (D), Byte Write (BW),

and Clock (K, K) inputs

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

Clocking and Addressing Schemes

The GS8342D07/10/19/37BD SigmaQuad-II+ SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer.

• Pipelined read operation

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• Data Valid Pin (QVLD) Support

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• 165-bump, 13 mm x 15 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

Each internal read and write operation in a SigmaQuad-II+ B4

RAM is four times wider than the device I/O bus. An input

data bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data

before it is simultaneously written to the memory array. An

output data multiplexer is used to capture the data produced

from a single memory array read and then route it to the

appropriate output drivers as needed. Therefore the address

field of a SigmaQuad-II+ B4 RAM is always two address pins

less than the advertised index depth (e.g., the 4M x 8 has a 1M

addressable index).

SigmaQuad™ Family Overview

The GS8342D07/10/19/37BD are built in compliance with the

SigmaQuad-II+ SRAM pinout standard for Separate I/O

synchronous SRAMs. They are 37,748,736-bit (36Mb)

SRAMs. The GS8342D07/10/19/37BD SigmaQuad SRAMs

Parameter Synopsis

-450

-400

2.5 ns

0.45 ns

-350

2.86 ns

0.45 ns

-333

-300

tKHKH

tKHQV

2.22 ns

0.45 ns

3.0 ns

0.45 ns

3.3 ns

0.45 ns

Rev: 1.02 6/2012

1/29

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...29

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GS8342D07BGD-300	GSI	Simultaneous Read and Write SigmaQuad Interface	获取价格
GS8342D07BGD-300I	GSI	36Mb SigmaQuad-IITM Burst of 4 SRAM	获取价格
GS8342D07BGD-333	GSI	165 BGA	获取价格
GS8342D07BGD-333I	GSI	QDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165	获取价格
GS8342D07BGD-333IT	GSI	QDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165	获取价格
GS8342D07BGD-350	GSI	36Mb SigmaQuad-IITM Burst of 4 SRAM	获取价格

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