是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.24 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 4 ns |
其他特性: | ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH | 最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 37748736 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装等效代码: | BGA165,11X15,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大待机电流: | 0.04 A | 最小待机电流: | 2.3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.37 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS8322Z36AGB-150 | GSI |
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119 BGA | |
GS8322Z36AGB-150I | GSI |
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119 BGA | |
GS8322Z36AGB-150IV | GSI |
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ZBT SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-11 | |
GS8322Z36AGB-150IVT | GSI |
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ZBT SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-11 | |
GS8322Z36AGB-150V | GSI |
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119 BGA | |
GS8322Z36AGB-200 | GSI |
获取价格 |
119 BGA | |
GS8322Z36AGB-200I | GSI |
获取价格 |
119 BGA | |
GS8322Z36AGB-200IV | GSI |
获取价格 |
119 BGA | |
GS8322Z36AGB-200IVT | GSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-11 | |
GS8322Z36AGB-200V | GSI |
获取价格 |
119 BGA |