是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.24 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 7.5 ns | 其他特性: | ALSO OPERATED WITH 2.5V SUPPLY; PIPELINE/FLOW THROUGH ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 150 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 37748736 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA119,7X17,50 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8/2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.99 mm |
最大待机电流: | 0.04 A | 最小待机电流: | 1.7 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.165 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS8322Z36AGB-150V | GSI |
获取价格 |
119 BGA | |
GS8322Z36AGB-200 | GSI |
获取价格 |
119 BGA | |
GS8322Z36AGB-200I | GSI |
获取价格 |
119 BGA | |
GS8322Z36AGB-200IV | GSI |
获取价格 |
119 BGA | |
GS8322Z36AGB-200IVT | GSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-11 | |
GS8322Z36AGB-200V | GSI |
获取价格 |
119 BGA | |
GS8322Z36AGB-250 | GSI |
获取价格 |
119 BGA | |
GS8322Z36AGB-250I | GSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX36, 5.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-11 | |
GS8322Z36AGB-250IT | GSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX36, 5.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-11 | |
GS8322Z36AGB-250IV | GSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX36, 5.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-11 |