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GS8320ZV18GT-133IT

更新时间： 2024-01-29 01:32:27

品牌	Logo	应用领域
GSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	629K
描述
ZBT SRAM, 2MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, LEAD FREE, TQFP-100

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GS8320ZV18GT-133IT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	8.5 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e3
长度：	20 mm	内存密度：	37748736 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.6 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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Preliminary

GS8320ZV18/36T-250/225/200/166/150/133

250 MHz–133 MHz

100-Pin TQFP

Commercial Temp

Industrial Temp

36Mb Pipelined and Flow Through

Synchronous NBT SRAMs

1.8 V V

1.8 V I/O

Because it is a synchronous device, address, data inputs, and

Features

read/ write control inputs are captured on the rising edge of the

input clock. Burst order control (LBO) must be tied to a power

rail for proper operation. Asynchronous inputs include the

Sleep mode enable (ZZ) and Output Enable. Output Enable can

be used to override the synchronous control of the output

drivers and turn the RAM's output drivers off at any time.

Write cycles are internally self-timed and initiated by the rising

edge of the clock input. This feature eliminates complex off-

chip write pulse generation required by asynchronous SRAMs

and simplifies input signal timing.

• NBT (No Bus Turn Around) functionality allows zero wait

read-write-read bus utilization; Fully pin-compatible with

both pipelined and flow through NtRAM™, NoBL™ and

ZBT™ SRAMs

• 1.8 V +10%/–10% core power supply

• 1.8 V I/O supply

• User-configurable Pipeline and Flow Through mode

• LBO pin for Linear or Interleave Burst mode

• Pin compatible with 2Mb, 4Mb, 8Mb, and 16Mb devices

• Byte write operation (9-bit Bytes)

• 3 chip enable signals for easy depth expansion

• ZZ Pin for automatic power-down

• JEDEC-standard 100-lead TQFP package

• Pb-Free 100-lead TQFP package available

The GS8320ZV18/36T may be configured by the user to

operate in Pipeline or Flow Through mode. Operating as a

pipelined synchronous device, meaning that in addition to the

rising edge triggered registers that capture input signals, the

device incorporates a rising-edge-triggered output register. For

read cycles, pipelined SRAM output data is temporarily stored

by the edge triggered output register during the access cycle

and then released to the output drivers at the next rising edge of

clock.

Functional Description

The GS8320ZV18/36T is a 36Mbit Synchronous Static

SRAM. GSI's NBT SRAMs, like ZBT, NtRAM, NoBL or

other pipelined read/double late write or flow through read/

single late write SRAMs, allow utilization of all available bus

bandwidth by eliminating the need to insert deselect cycles

when the device is switched from read to write cycles.

The GS8320ZV18/36T is implemented with GSI's high

performance CMOS technology and is available in a JEDEC-

standard 100-pin TQFP package.

Parameter Synopsis

-250 -225 -200 -166 -150 -133 Unit

2.5 2.7 3.0 3.5 3.8 4.0 ns

4.0 4.4 5.0 6.0 6.6 7.5 ns

Pipeline

3-1-1-1

tCycle

Curr (x18) 285 265 245 220 210 185 mA

Curr (x32/x36) 350 320 295 260 240 215 mA

6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 8.5 ns

Flow

Through

2-1-1-1

tCycle

Curr (x18) 205 195 185 175 165 155 mA

Curr (x32/x36) 235 225 210 200 190 175 mA

Rev: 1.01 10/2004

1/23

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GS8320ZV18GT-150	GSI	36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs	获取价格
GS8320ZV18GT-150I	GSI	36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs	获取价格
GS8320ZV18GT-150IT	GSI	ZBT SRAM, 2MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, LEAD FREE, TQFP-100	获取价格
GS8320ZV18GT-150T	GSI	暂无描述	获取价格
GS8320ZV18GT-166	GSI	36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs	获取价格
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