是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA165,11X15,40 |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.89 | 最长访问时间: | 6 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY | 最大时钟频率 (fCLK): | 225 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 18874368 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.02 A | 最小待机电流: | 2.3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.265 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 13 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS8161E36D-225I | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36D-225IT | GSI |
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Cache SRAM, 512KX36, 6ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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GS8161E36D-250 | GSI |
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1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36D-250I | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36DD-150 | GSI |
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165 BGA |
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GS8161E36DD-150I | GSI |
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Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, FPBGA-165 |
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GS8161E36DD-150IV | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, FPBGA-165 |
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GS8161E36DD-150IVT | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, FPBGA-165 |
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GS8161E36DD-150V | GSI |
获取价格 |
165 BGA |
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GS8161E36DD-200 | GSI |
获取价格 |
165 BGA |
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