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GS81302TT37GE-450IT

更新时间： 2024-02-17 16:20:56
品牌 Logo 应用领域
GSI 双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
30页 431K
描述
DDR SRAM, 4MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

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GS81302TT37GE-450IT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA,针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.05
最长访问时间：0.45 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE
JESD-30 代码：R-PBGA-B165JESD-609代码：e1
长度：17 mm内存密度：150994944 bit
内存集成电路类型：DDR SRAM内存宽度：36
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：165字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX36封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.5 mm最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15 mmBase Number Matches：1

GS81302TT37GE-450IT 数据手册

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GS81302TT07/10/19/37E-450/400/350/333/300  
16M x 8 SigmaDDR-II+ SRAM—Top View  
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QVLD  
ODT  
SA  
SA  
NC  
TCK  
TMS  
2
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm Body—1 mm Bump Pitch  
Notes:  
1. NW0 controls writes to DQ0:DQ3; NW1 controls writes to DQ4:DQ7.  
2. Pin B5 is the expansion address.  
Rev: 1.00a 11/2011  
2/30  
© 2011, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...30

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