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GS81302T06E-500T

更新时间： 2024-01-04 13:50:34
品牌 Logo 应用领域
GSI 双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 384K
描述
DDR SRAM, 16MX8, 0.37ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

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GS81302T06E-500T 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA,针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.32
Is Samacsys：N最长访问时间：0.37 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PBGA-B165
长度：17 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：DDR SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：165
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15 mmBase Number Matches：1

GS81302T06E-500T 数据手册

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GS81302T06/11/20/38E-500/450/400/350  
8M x 18 SigmaDDR-II+ SRAM—Top View  
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SA  
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QVLD  
ODT  
SA  
SA  
NC  
DQ0  
TDI  
TCK  
TMS  
2
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm Body—1 mm Bump Pitch  
Notes:  
1. BW0 controls writes to DQ0:DQ8; BW1 controls writes to DQ9:DQ17  
2. Pin B5 is the expansion address.  
Rev: 1.03c 11/2011  
3/29  
© 2011, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...29

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与GS81302T06E-500T相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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