5秒后页面跳转
GS74116AJ-7 PDF预览

GS74116AJ-7

更新时间: 2024-10-01 07:02:07
品牌 Logo 应用领域
GSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 421K
描述
256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM

GS74116AJ-7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ,
针数:44Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.75Is Samacsys:N
最长访问时间:7 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J44
长度:28.58 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:44字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.76 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

GS74116AJ-7 数据手册

 浏览型号GS74116AJ-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GS74116AJ-7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GS74116AJ-7的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GS74116AJ-7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GS74116AJ-7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GS74116AJ-7的Datasheet PDF文件第7页 
GS74116ATP/J/X  
SOJ, TSOP, FP-BGA  
Commercial Temp  
Industrial Temp  
7, 8, 10, 12 ns  
3.3 V VDD  
Center VDD and VSS  
256K x 16  
4Mb Asynchronous SRAM  
Features  
SOJ 256K x 16-Pin Configuration (Package J)  
• Fast access time: 7, 8, 10, 12 ns  
• CMOS low power operation: 150/130/105/95 mA at  
minimum cycle time  
A4  
A3  
A5  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
1
A6  
2
• Single 3.3 V power supply  
A2  
A7  
3
• All inputs and outputs are TTL-compatible  
• Byte control  
A1  
OE  
4
Top view  
A0  
UB  
5
• Fully static operation  
CE  
LB  
6
• Industrial Temperature Option: –40° to 85°C  
• Package line up  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
VDD  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
7
8
J: 400 mil, 44-pin SOJ package  
TP: 400 mil, 44-pin TSOP Type II package  
X: 6 mm x 10 mm Fine Pitch Ball Grid Array  
package  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
DQ13  
VSS  
VDD  
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
NC  
44-pin  
SOJ  
VSS  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
WE  
Description  
16  
17  
18  
The GS74116A is a high speed CMOS Static RAM organized  
as 262,144 words by 16 bits. Static design eliminates the need  
for external clocks or timing strobes. The GS operates on a  
single 3.3 V power supply and all inputs and outputs are TTL-  
compatible. The GS74116A is available in a 6 x 10 mm Fine  
Pitch BGA package, 400 mil SOJ and 400 mil TSOP Type-II  
packages.  
A15  
A14  
A13  
A12  
A16  
A8  
A9  
19  
20  
21  
22  
A10  
A11  
A17  
FP-BGA 256K x 16 Bump Configuration (Package X)  
Pin Descriptions  
1
2
3
4
5
6
Symbol  
A0–A17  
Description  
Address input  
DQ1–DQ16  
CE  
Data input/output  
Chip enable input  
A
B
C
D
E
F
LB  
OE  
A0  
A3  
A1  
A4  
A6  
A7  
A2  
NC  
DQ16 UB  
CE DQ1  
DQ2 DQ3  
DQ4 VDD  
Lower byte enable input  
(DQ1 to DQ8)  
LB  
DQ14 DQ15 A5  
VSS DQ13 A17  
VDD DQ12 NC  
DQ11 DQ10 A8  
Upper byte enable input  
(DQ9 to DQ16)  
UB  
A16 DQ5 VSS  
WE  
OE  
Write enable input  
Output enable input  
+3.3 V power supply  
A9  
DQ7 DQ6  
WE DQ8  
V
DD  
G
H
DQ9 NC  
NC A12  
A10  
A13  
A11  
A14  
V
Ground  
SS  
A15  
NC  
NC  
No connect  
6 x 10 mm Bump Pitch  
© 2001, Giga Semiconductor, Inc.  
Rev: 1.03 10/2002  
1/14  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  

与GS74116AJ-7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GS74116AJ-7I GSI

获取价格

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
GS74116AJ-7IT GSI

获取价格

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
GS74116AJ-7T GSI

获取价格

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
GS74116AJ-8 GSI

获取价格

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
GS74116AJ-8I GSI

获取价格

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
GS74116AJ-8IT GSI

获取价格

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
GS74116AJ-8T GSI

获取价格

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
GS74116ATP-10 GSI

获取价格

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
GS74116ATP-10I GSI

获取价格

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
GS74116ATP-10IT GSI

获取价格

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM