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GS74116AGX-10

更新时间： 2024-10-01 21:01:11
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 173K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-48

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GS74116AGX-10 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.15
最长访问时间：10 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：10 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：48字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.01 A最小待机电流：3 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：6 mm
Base Number Matches：1

GS74116AGX-10 数据手册

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GS74116AGP/X  
8, 10, 12 ns  
TSOP, FP-BGA  
Commercial Temp  
Industrial Temp  
256K x 16  
4Mb Asynchronous SRAM  
3.3 V V  
DD  
Center V and V  
DD  
SS  
Features  
FP-BGA 256K x 16 Bump Configuration (Package X)  
• Fast access time: 8, 10, 12 ns  
• CMOS low power operation: 130/105/95 mA at minimum  
cycle time  
1
2
3
4
5
6
• Single 3.3 V power supply  
• All inputs and outputs are TTL-compatible  
• Byte control  
• Fully static operation  
• Industrial Temperature Option: –40° to 85°C  
• Package line up  
A
B
C
D
E
F
LB  
OE  
A0  
A3  
A1  
A4  
A6  
A7  
A2  
NC  
DQ16 UB  
CE DQ1  
DQ2 DQ3  
DQ4 VDD  
DQ14 DQ15 A5  
VSS DQ13 A17  
VDD DQ12 NC  
DQ11 DQ10 A8  
GP: RoHS-compliant 400 mil, 44-pin TSOP Type II  
package  
X: 6 mm x 10 mm Fine Pitch Ball Grid Array package  
GX: RoHS-compliant 6 mm x 10 mm Fine Pitch Ball Grid  
Array package  
A16 DQ5 VSS  
A9  
DQ7 DQ6  
WE DQ8  
G
H
DQ9 NC  
NC A12  
A10  
A13  
A11  
A14  
• RoHS-compliant TSOP-II, and FP-BGA packages available  
A15  
NC  
Description  
The GS74116A is a high speed CMOS Static RAM organized  
as 262,144 words by 16 bits. Static design eliminates the need  
for external clocks or timing strobes. The GS operates on a  
single 3.3 V power supply and all inputs and outputs are TTL-  
compatible. The GS74116A is available in a 6 x 10 mm Fine  
Pitch BGA package and 400 mil TSOP Type-II packages.  
6 x 10 mm Substrate  
Top View  
TSOP-II 256K x 16 Pin Configuration (Package GP)  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
1
A4  
A3  
A5  
2
A6  
Pin Descriptions  
3
A2  
A7  
4
A1  
OE  
Top view  
Symbol  
A0–A17  
Description  
Address input  
5
A0  
UB  
6
CE  
LB  
7
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
VDD  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ1–DQ16  
CE  
Data input/output  
Chip enable input  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
DQ13  
VSS  
VDD  
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
NC  
Lower byte enable input  
(DQ1 to DQ8)  
44 pin  
LB  
VSS  
TSOP II  
Upper byte enable input  
(DQ9 to DQ16)  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
WE  
UB  
WE  
OE  
Write enable input  
Output enable input  
+3.3 V power supply  
16  
17  
18  
A15  
A14  
A13  
A12  
A16  
A8  
V
DD  
19  
20  
21  
22  
A9  
V
Ground  
SS  
A10  
A11  
NC  
No connect  
A17  
Rev: 1.10 1/2013  
1/13  
© 2001, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...13

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GS74116AGX-10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
GS74116AGX-10I GSI

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 Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-48
GS74116AX-10IT GSI

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