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GS72116AT-8IT

更新时间： 2024-01-17 23:43:49
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 590K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 8ns, CMOS, PQFP44, 10 X 10 MM, TQFP-44

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GS72116AT-8IT 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：QFP, QFP44,.47SQ,32
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.77最长访问时间：8 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PQFP-G44
长度：10 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QFP
封装等效代码：QFP44,.47SQ,32封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.13 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10 mm
Base Number Matches：1

GS72116AT-8IT 数据手册

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GS72116ATP/J/T/U  
7, 8, 10, 12 ns  
SOJ, TSOP, FP-BGA, TQFP  
Commercial Temp  
Industrial Temp  
128K x 16  
2Mb Asynchronous SRAM  
3.3 V V  
DD  
Center V and V  
DD  
SS  
Features  
Pin Descriptions  
• Fast access time: 7, 8, 10, 12 ns  
• CMOS low power operation: 145/125/100/85 mA at  
minimum cycle time  
• Single 3.3 V power supply  
• All inputs and outputs are TTL-compatible  
• Byte control  
Symbol  
A0–A16  
DQ1–DQ16  
CE  
Description  
Address input  
Data input/output  
Chip enable input  
• Fully static operation  
• Industrial Temperature Option: –40° to 85°C  
• Package line up  
Lower byte enable input  
(DQ1 to DQ8)  
LB  
J:  
400 mil, 44-pin SOJ package  
Upper byte enable input  
(DQ9 to DQ16)  
UB  
GJ: RoHS-compliant 400 mil, 44-pin SOJ package  
TP: 400 mil, 44-pin TSOP Type II package  
GP: RoHS-compliant 400 mil, 44-pin TSOP Type II  
package  
WE  
OE  
Write enable input  
Output enable input  
+3.3 V power supply  
T: 10 mm x 10 mm, 44-pin TQFP  
V
DD  
GT: RoHS-compliant 10 mm x 10 mm, 44-pin TQFP  
U: 6 mm x 8 mm Fine Pitch Ball Grid Array package  
GU: RoHS-compliant 6 mm x 8 mm Fine Pitch Ball Grid  
Array package  
V
Ground  
SS  
NC  
No connect  
Description  
The GS72116A is a high speed CMOS Static RAM organized  
as 131,072 words by 16 bits. Static design eliminates the need  
for external clocks or timing strobes. The GS operates on a  
single 3.3 V power supply and all inputs and outputs are TTL-  
compatible. The GS72116A is available in a 6 mm x 8 mm  
Fine Pitch BGA package, a 10 mm x 10 mm TQFP package, as  
well as in 400 mil SOJ and 400 mil TSOP Type-II packages.  
SOJ 128K x 16-Pin Configuration  
A4  
A3  
A5  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
1
A6  
2
A2  
A7  
3
A1  
OE  
4
Top view  
A0  
UB  
5
CE  
LB  
6
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
VDD  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
DQ13  
VSS  
VDD  
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
NC  
44-pin  
SOJ  
VSS  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
WE  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
A15  
A14  
A13  
A12  
A16  
A8  
A9  
A10  
A11  
NC  
Package J  
Rev: 1.09 10/2007  
1/18  
© 2001, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GS72116ATP GSI

获取价格

 		128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM
GS72116ATP-10 GSI

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 		128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM
GS72116ATP-10I GSI

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 		Standard SRAM, 128KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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