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GS72116ATP-8I PDF预览

GS72116ATP-8I

更新时间： 2024-01-24 06:39:32
品牌 Logo 应用领域
GSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
18页 491K
描述
128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM

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GS72116ATP-8I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2,
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.77最长访问时间：8 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

GS72116ATP-8I 数据手册

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GS72116ATP/J/T/U  
SOJ, TSOP, FP-BGA, TQFP  
Commercial Temp  
7, 8, 10, 12 ns  
3.3 V VDD  
128K x 16  
Industrial Temp  
2Mb Asynchronous SRAM  
Center VDD and VSS  
Features  
SOJ 128K x 16-Pin Configuration  
• Fast access time: 7, 8, 10, 12 ns  
• CMOS low power operation: 145/125/100/85 mA at  
minimum cycle time  
A4  
A3  
A5  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
1
A6  
2
• Single 3.3 V power supply  
A2  
A7  
3
• All inputs and outputs are TTL-compatible  
• Byte control  
A1  
OE  
4
Top view  
A0  
UB  
5
• Fully static operation  
CE  
LB  
6
• Industrial Temperature Option: –40° to 85°C  
• Package line up  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
VDD  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
7
8
J: 400 mil, 44-pin SOJ package  
TP: 400 mil, 44-pin TSOP Type II package  
T: 10 mm x 10 mm, 44-pin TQFP  
U: 6 mm x 8 mm Fine Pitch Ball Grid Array package  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
DQ13  
VSS  
VDD  
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
NC  
44-pin  
SOJ  
VSS  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
WE  
Description  
16  
17  
18  
The GS72116A is a high speed CMOS Static RAM organized  
as 131,072 words by 16 bits. Static design eliminates the need  
for external clocks or timing strobes. The GS operates on a sin-  
gle 3.3 V power supply and all inputs and outputs are TTL-  
compatible. The GS72116A is available in a 6 mm x 8 mm  
Fine Pitch BGA package, a 10 mm x 10 mm TQFP package, as  
well as in 400 mil SOJ and 400 mil TSOP Type-II packages.  
A15  
A14  
A13  
A12  
A16  
A8  
A9  
19  
20  
21  
22  
A10  
A11  
NC  
Package J  
Pin Descriptions  
Symbol  
A0–A16  
Description  
Address input  
DQ1–DQ16  
CE  
Data input/output  
Chip enable input  
Lower byte enable input  
(DQ1 to DQ8)  
LB  
Upper byte enable input  
(DQ9 to DQ16)  
UB  
WE  
OE  
Write enable input  
Output enable input  
+3.3 V power supply  
V
DD  
V
Ground  
SS  
NC  
No connect  
Rev: 1.04a 10/2002  
1/18  
© 2001, Giga Semiconductor, Inc.  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...18

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GS72116ATP-8I 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
GS72116AGP-8I GSI

功能相似

 Standard SRAM, 128KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44
GS72116ATP-8 GSI

功能相似

 128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM
IS61LV12816-8TI ISSI

功能相似

 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GS72116ATP-8IT GSI

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 		Standard SRAM, 128KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
GS72116ATP-8T GSI

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 		Standard SRAM, 128KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
GS72116AU GSI

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 		128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM
GS72116AU-10 GSI

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 		128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM
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 		128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM
GS72116AU-10T GSI

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 		Standard SRAM, 128KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
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 		128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM
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 		Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
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 		Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

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