桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM8050
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Test Condition
測試條件
Min.
最小值 典型值 最大值 單位
Typ.
Max. Unit
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
—
—
—
—
ICBO
IEBO
V(BR)CBO
VCB=30V,IE=0
VEB=5V,IC=0
—
—
0.1
0.1
—
μA
μA
V
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
Collector-Base Breakdown Voltage
IC=100μA
(GMC6802)
40
集電極-基極擊穿電壓
(25)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC=10mA
(GMC6802)
25
—
—
V(BR)CEO
V
集電極-發射極擊穿電壓
(18)
Emitter-Base Breakdown Voltage
—
—
V(BR)EBO
HFE(1)
IE=100μA
5
V
發射極-基極擊穿電壓
VCE=1V,IC=50(S8050/A)mA
VCE=1V,IC=100mA
VCE=1V,
85
400
DC Current Gain
直流電流增益
IC=1800mA(GMC6802)
IC=800mA
50
—
—
HFE(2)
—
(M8050,MMT8050,SS8050)
Ic=500mA(S8050)
Ic=500mA(S8050A)
40
40
30
IC=500mA, IB=50mA(S8050/A)
IC=1000mA, IB=100mA(M8050)
IC=1200mA, IB=120mA(MMT8050)
IC=1500mA, IB=150mA(SS8050)
IC=1000mA, IB=100mA(GMC6802)
IC=500mA, IB=50mA(S8050/A)
IC=1000mA, IB=100mA(M8050)
IC=1200mA, IB=120mA(MMT8050)
IC=1500mA, IB=150mA(SS8050)
IC=1800mA, IB=180mA(GMC6802)
0.6
0.6
0.6
0.6
0.3
Collector-Emitter Saturation Voltage
—
VCE(sat)
—
V
V
集電極-發射極飽和壓降
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極飽和壓降
VBE(sat)
—
1
1.2
Base-Emitter Voltage
基極-發射極電壓
VBE
fT
VCE=1V,IC=10mA
VCE=5V,IC=10mA
—
100
—
0.8
120
13
1.0
—
30
V
MHz
pF
Transition Frequency
特徵頻率
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=10V,IE=0,f=1MHz
輸出電容