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GM8050_15

更新时间: 2022-02-26 14:16:16
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桂微 - GSME /
页数 文件大小 规格书
2页 212K
描述
NPN Low Frequency Power Amplifier

GM8050_15 数据手册

 浏览型号GM8050_15的Datasheet PDF文件第1页 
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司  
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.  
GM8050  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性  
(TA=25unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25)  
Characteristic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Test Condition  
測試條件  
Min.  
最小值 典型值 最大值 單位  
Typ.  
Max. Unit  
Collector Cutoff Current  
集電極截止電流  
ICBO  
IEBO  
V(BR)CBO  
VCB=30V,IE=0  
VEB=5V,IC=0  
0.1  
0.1  
μA  
μA  
V
Emitter Cutoff Current  
發射極截止電流  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC=100μA  
(GMC6802)  
40  
集電極-基極擊穿電壓  
(25)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC=10mA  
(GMC6802)  
25  
V(BR)CEO  
V
集電極-發射極擊穿電壓  
(18)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
V(BR)EBO  
HFE(1)  
IE=100μA  
5
V
發射極-基極擊穿電壓  
VCE=1V,IC=50(S8050/A)mA  
VCE=1V,IC=100mA  
VCE=1V,  
85  
400  
DC Current Gain  
直流電流增益  
IC=1800mA(GMC6802)  
IC=800mA  
50  
HFE(2)  
(M8050,MMT8050SS8050)  
Ic=500mA(S8050)  
Ic=500mA(S8050A)  
40  
40  
30  
IC=500mA, IB=50mA(S8050/A)  
IC=1000mA, IB=100mA(M8050)  
IC=1200mA, IB=120mA(MMT8050)  
IC=1500mA, IB=150mA(SS8050)  
IC=1000mA, IB=100mA(GMC6802)  
IC=500mA, IB=50mA(S8050/A)  
IC=1000mA, IB=100mA(M8050)  
IC=1200mA, IB=120mA(MMT8050)  
IC=1500mA, IB=150mA(SS8050)  
IC=1800mA, IB=180mA(GMC6802)  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.3  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
VCE(sat)  
V
V
集電極-發射極飽和壓降  
Base-Emitter Saturation Voltage  
基極-發射極飽和壓降  
VBE(sat)  
1
1.2  
Base-Emitter Voltage  
基極-發射極電壓  
VBE  
fT  
VCE=1V,IC=10mA  
VCE=5V,IC=10mA  
100  
0.8  
120  
13  
1.0  
30  
V
MHz  
pF  
Transition Frequency  
特徵頻率  
Collector Output Capacitance  
Cob  
VCB=10V,IE=0,f=1MHz  
輸出電容  

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