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GM76U8128CLLT1-85I

更新时间： 2024-01-24 16:34:02

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海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管内存集成电路
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11页	101K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32

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GM76U8128CLLT1-85I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.8,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	85 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.04 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

GM76U8128CLLT1-85I 数据手册

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GM76U8128CL/CLL

32 TSOP I (8x20mm)

/OE

A10

/CS1

I/O7

A11

A13

/WE

CS2

A15

VCC

N.C

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

VSS

I/O2

I/O1

I/O0

A16

A14

A12

0.720(18.30) MIN

0.728(18.50) MAX

0.006(0.15) MIN

0.000(0.00) MAX

0.780(19.80) MIN

0.795(20.20) MAX

0.039(1.0) MIN

0.047(1.2) MAX

0.016(0.40) MIN

0.024(0.60) MAX

32Small TSOP-I(8x13.4mm)

/OE

A10

/CS1

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

VSS

I/O2

I/O1

I/O0

A11

A13

/WE

CS2

A15

VCC

N.C

A16

A14

A12

0.461(11.70) MIN

0.467(11.86) MAX

0.002(0.05) MIN

0.006(0.15) MAX

0.527(13.30) MIN

0.528(13.50) MAX

0.035(1.2) MIN

0.044(1.0) MAX

0.020(0.6) MIN

0.019(0.4) MAX

119

1...8 9 1011

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