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GM76U8128CLLG-10E

更新时间: 2024-01-29 18:52:08
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 104K
描述
x8 SRAM

GM76U8128CLLG-10E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:SOP, SOP32,.56Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP32,.56
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3 V
认证状态:Not Qualified最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.04 mA
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM76U8128CLLG-10E 数据手册

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GM76U8128CL/CLL  
Write Cycle (1) (/WE Controlled) (Notes 2, 3, 4)  
t
WC  
ADD  
t
AS  
t
WR  
t
AW  
t
WP  
/WE  
t
t
CW1  
/CS1  
CS2  
CW2  
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WHZ  
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OW  
DOUT  
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DW  
t
DH  
DIN  
VALID DATA  
114  

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