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GM76C256CLLT-70

更新时间: 2024-01-04 10:16:00
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 81K
描述
x8 SRAM

GM76C256CLLT-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:LSSOP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.71
最长访问时间:150 ns其他特性:ALSO OPERATES WITH 5V SUPPLY
JESD-30 代码:R-PDSO-G28长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.22 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

GM76C256CLLT-70 数据手册

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LG Semicon  
DC Electrical Characteristics (VCC=5.0V + 0.5V , TA = -25 ~ 85C)  
GM76C256CL/LL  
GM76C256C  
Unit  
uA  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min Typ Max  
II(L)  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
V
IN = 0 to VCC  
-1  
-
1
IO(L)  
/CS = VIH or /OE = VIH or  
/WE = VIL, V< VOUT < VCC  
-1  
-
1
uA  
V
OH  
OL  
High Level Output Voltage  
Low Level Output Voltage  
I
OH = -1.0mA  
2.4  
-
-
-
-
V
V
V
IOL = 2.1mA  
0.4  
I
CC  
Operating Supply Current  
/CS = VIL,  
-
-
10 mA  
70 mA  
VIN = VIH/VIL, II/O = 0mA  
I
CC1  
CC2  
/CS = VIL,  
Average Operating Current  
VIN = VIH/VIL  
-
-
II/O = 0mA  
tcycle = Min, cycle  
I
/CS = VIL,  
Average Operating Current  
VIN = VIH/VIL  
-
-
10 mA  
II/O = 0mA  
tcycle = 1us, cycle  
I
CCS1  
CCS2  
/CS = VIH  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0 mA  
20 uA  
Standby Current (TTL)  
I
0 to +70C (LL)  
-25 to +85C (LLE)  
0 to +70C (L)  
Standby Current (CMOS)  
/CS < VCC-0.2V(LL)  
/CS < VCC-0.2V (L)  
30  
40  
uA  
uA  
-25 to +85C (LE)  
60 uA  
*TYP. Values are measured at 25C, VCC = 5.0V  
35  

与GM76C256CLLT-70相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM76C256CLLT-70/E HYNIX Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28

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