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GM76C256CLLT-70

更新时间: 2024-01-01 04:51:04
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 81K
描述
x8 SRAM

GM76C256CLLT-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:LSSOP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.71
最长访问时间:150 ns其他特性:ALSO OPERATES WITH 5V SUPPLY
JESD-30 代码:R-PDSO-G28长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.22 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

GM76C256CLLT-70 数据手册

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LG Semicon  
GM76C256CL/LL  
Absolute Maximum Ratings *1  
Symbol  
Parameter  
Rating  
0 ~ 70  
Unit  
Ambient  
Temperature  
under Bias  
GM76C256CL/LL  
C
C
TA  
GM76C256CLE/LLE  
-25 ~ 85  
TSTG  
VSOL  
VCC  
VIN  
Storage Temperature  
-65 ~ 150  
260, 10 (at lead)  
-0.3 ~ 4.6  
C
Soldering Temperature and Time  
Supply Voltage  
C, S  
V
*2  
Input Voltage  
-0.3 ~ 4.6  
V
VI/O  
PD  
Input and Output Voltage  
Power Dissipation  
-0.5 ~ VCC + 0.5  
1.0  
V
W
Notes:  
1. Operation at above Absolute Maximum Ratings can adversely affect device reliability.  
2. -3.0V at pulse width 50ns Max.  
Recommended DC Operating Conditions (TA = -25 ~ 85C)  
GM76C256C  
Symbol  
Parameter  
Supply Voltage  
Unit  
Min  
4.5  
Typ  
Max  
5.5  
VCC  
VIH  
VIL  
5.0  
V
V
V
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.2  
-
-
V
CC + 0.3  
-0.3*  
0.8  
*Note: VIL=-3.0V Min for pulse width less than 50ns.  
Truth Table  
/CS  
H
/WE  
X
/OE  
X
Input/Output  
MODE  
Not Selected  
Read  
Hi-Z  
Output Data  
Input Data  
Hi-Z  
L
H
L
L
L
X
Write  
L
H
H
OutputDisable  
*Note: X means "don't care".  
34  

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