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GM76C256CLLEFW-55

更新时间： 2024-02-06 15:28:37

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描述
x8 SRAM

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GM76C256CLLEFW-55 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP28,.5	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.88
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	18.3895 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP28,.5	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.794 mm
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8.6865 mm

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LG Semicon

DC Electrical Characteristics (VCC=5.0V + 0.5V , TA = -25 ~ 85C)

GM76C256CL/LL

GM76C256C

Unit

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min Typ Max

II(L)

Input Leakage Current

Output Leakage Current

IN = 0 to VCC

-1

IO(L)

/CS = VIH or /OE = VIH or

/WE = VIL, V< VOUT < VCC

-1

High Level Output Voltage

Low Level Output Voltage

OH = -1.0mA

2.4

IOL = 2.1mA

0.4

Operating Supply Current

/CS = VIL,

10 mA

70 mA

VIN = VIH/VIL, II/O = 0mA

CC1

CC2

/CS = VIL,

Average Operating Current

VIN = VIH/VIL

II/O = 0mA

tcycle = Min, cycle

/CS = VIL,

Average Operating Current

VIN = VIH/VIL

10 mA

II/O = 0mA

tcycle = 1us, cycle

CCS1

CCS2

/CS = VIH

1.0 mA

20 uA

Standby Current (TTL)

0 to +70C (LL)

-25 to +85C (LLE)

0 to +70C (L)

Standby Current (CMOS)

/CS < VCC-0.2V(LL)

/CS < VCC-0.2V (L)

-25 to +85C (LE)

60 uA

*TYP. Values are measured at 25C, VCC = 5.0V

1 234 5 6 7...10

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