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GM76C256CLFW-W70

更新时间： 2024-02-16 21:54:41

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海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	96K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDSO28

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GM76C256CLFW-W70 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOP, SOP28,.5
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	150 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP28,.5	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

GM76C256CLFW-W70 数据手册

GM76C256CW Series

TIMING DIAGRAM

READ CYCLE 1

tRC

ADDR

tAA

tOE

tOH

tOLZ

tACS

tCLZ

tOHZ

tCHZ

High-Z

Data

Out

Data Valid

Note(READ CYCLE):

1. tCHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and arenot

referenced to output voltage levels.

2. At any given temperature and voltage condition, tCHZ max. is less than tCLZ min. both for a given device

and from device to device.

3. /WE is high for the read cycle.

READ CYCLE 2

tRC

ADDR

tAA

tOH

Data

Out

Previous Data

Data Valid

Note(READ CYCLE):

1. /WE is high for the read cycle.

2. Device is continuously selected /CS= VIL.

3. /OE =VIL.

Rev 02 / Apr. 2001

1...3 4 567 8 9...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GM76C256CLL	HYNIX	32K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM	获取价格
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GM76C256CLL-55W	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格
GM76C256CLL-70	ETC	x8 SRAM	获取价格
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GM76C256CLLE	HYNIX	32K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM	获取价格