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GM71VS65803ALJ-6

更新时间： 2024-02-09 18:47:33
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
25页 398K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

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GM71VS65803ALJ-6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SOJ, SOJ32,.44Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.81最长访问时间：60 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J32
JESD-609代码：e0内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：8
端子数量：32字数：8388608 words
字数代码：8000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ32,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096自我刷新：YES
最大待机电流：0.0003 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.175 mA标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

GM71VS65803ALJ-6 数据手册

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GM71V(S)65803A/AL  
LG Semicon  
Capacitance (VCC = 3.3V+/-10%, TA = 25C)  
Symbol  
CI1  
Parameter  
Typ  
Max  
Unit  
§Ü  
Note  
1
-
Input Capacitance (Address)  
Input Capacitance (Clocks)  
Output Capacitance (Data-in,Data-Out)  
5
7
7
§Ü  
CI2  
-
-
1
§Ü  
CI/O  
1, 2  
Note: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.  
2. RAS, CAS = VIH to disable DOUT.  
AC Characteristics (VCC = 3.3V+/-10%, TA = 0 ~ 70C, Notes 1, 2,19)  
Test Conditions  
Input rise and fall times : 2ns  
Input level : VIL/VIH = 0.0/3.0V  
Input timing reference levels : VIL/VIH = 0.8/2.0V  
Output timing reference levels : VOL/VOH = 0.8/2.0V  
Output load : 1 TTL gate+CL (100pF)  
(Including scope and jig)  
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common Parameters)  
GM71V(S)65803A/AL-5 GM71V(S)65803A/AL-6  
Symbol  
Parameter  
Notes  
Unit  
Min  
84  
Min  
Max  
Max  
104  
-
-
-
-
§À  
§À  
§À  
§À  
§À  
§À  
§À  
§À  
t
RC  
RP  
Random Read or Write Cycle Time  
RAS Precharge Time  
30  
40  
t
8
-
10000  
10000  
-
10  
60  
10  
0
-
CAS Precharge Time  
tCP  
50  
10000  
tRAS  
tCAS  
tASR  
tRAH  
tASC  
tCAH  
tRCD  
tRAD  
tRSH  
tCSH  
tCRP  
tODD  
tDZO  
t
DZC  
RAS Pulse Width  
10000  
8
0
CAS Pulse Width  
-
-
Row Address Set-up Time  
Row Address Hold Time  
Column Address Set-up Time  
Column Address Hold Time  
RAS to CAS Delay Time  
RAS to Column Address Delay Time  
RAS Hold Time  
10  
0
8
-
-
0
-
10  
8
-
-
§À  
§À  
3
4
14  
12  
17  
12  
10  
13  
35  
5
37  
25  
-
45  
30  
-
§À  
§À  
§À  
§À  
40  
5
-
-
-
CAS Hold Time  
-
CAS to RAS Precharge Time  
OE to DIN Delay Time  
OE Delay Time from DIN  
15  
13  
0
-
-
-
-
§À  
§À  
§À  
5
0
0
-
6
6
7
-
0
CAS Delay Time from DIN  
TransitionTime (Rise and Fall)  
Refresh Period  
50  
tT  
2
-
2
-
§À  
§Â  
§Â  
50  
64  
4096  
cycles  
4096  
cycles  
tREF  
64  
-
-
Refresh Period ( L-Version )  
128  
128  
4
1234567...25

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