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GM71VS16403CLT-6

更新时间： 2024-02-16 07:06:26
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 103K
描述
x4 EDO Page Mode DRAM

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GM71VS16403CLT-6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.79
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATIONI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G24JESD-609代码：e0
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP24/26,.36
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
自我刷新：YES最大待机电流：0.0001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GM71VS16403CLT-6 数据手册

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GM71V16403C  
GM71VS16403CL  
Capacitance (VCC = 3.3V +/- 0.3V, TA = 25C)  
Symbol  
CI1  
Parameter  
Input Capacitance (Address)  
Input Capacitance (Clocks)  
Output Capacitance (Data-In/Out)  
Min  
Max  
Unit  
nF  
Note  
1
-
-
-
5
7
7
CI2  
nF  
1
CI/O  
pF  
1, 2  
Note: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.  
2. CAS = VIH to disable DOUT  
.
AC Characteristics (VCC = 3.3V +/- 0.3V, VSS = 0V, TA = 0 ~ 70C, Notes 1, 2, 18)  
Test Conditions  
Input rise and fall times : 2ns  
Input levels: VIL= 0V, VIH=3V  
Input timing reference levels : 0.8V, 2.0V  
Output timing reference levels : 0.8V, 2.0V  
Output load : 1 TTL gate + C (100pF)  
(Including scope and jig)  
L
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common Parameters)  
GM71V(S)16403 GM71V(S)16403 GM71V(S)16403  
C/CL-5  
C/CL-6  
C/CL-7  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
Random Read or Write Cycle Time  
RAS Precharge Time  
84  
30  
-
-
104  
40  
-
-
124  
50  
-
-
ns  
ns  
t
RC  
tRP  
CAS Precharge Time  
8
-
10  
60  
-
13  
70  
-
ns  
t
CP  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
RAS  
CAS  
ASR  
RAH  
ASC  
CAH  
RCD  
RAD  
RSH  
CSH  
CRP  
ODD  
DZO  
DZC  
RAS Pulse Width  
50 10,000  
10,000  
10,000  
t
CAS Pulse Width  
8 10,000 10 10,000 13 10,000  
t
Row Address Set up Time  
Row Address Hold Time  
Column Address Set-up Time  
0
8
0
8
-
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
t
t
ns  
ns  
t
Column Address Hold Time  
RAS to CAS Delay Time  
RAS to Column Address Delay Time  
RAS Hold Time  
10  
13  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
12 37  
10 25  
14 45  
12 30  
14 52  
12 35  
3
4
t
t
t
10  
35  
5
-
-
13  
40  
5
-
-
13  
45  
5
-
-
CAS Hold Time  
t
CAS to RAS Precharge Time  
OE to DIN Delay Time  
-
-
-
t
t
13  
0
-
15  
0
-
18  
0
-
5
6
6
7
t
OE Delay Time from DIN  
CAS Delay Time from DIN  
Transition Time (Rise and Fall)  
-
-
-
0
-
0
-
0
-
t
tT  
2
50  
2
50  
2
50  
Rev0.1/Apr’01  
1234567...10

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