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GM71VS17400BLJ-8

更新时间: 2024-01-24 09:09:26
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
26页 1631K
描述
x4 Fast Page Mode DRAM

GM71VS17400BLJ-8 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.79
Is Samacsys:N最长访问时间:80 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
端子数量:24字数:4194304 words
字数代码:4000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ24/26,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048自我刷新:NO
最大待机电流:0.0001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.09 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GM71VS17400BLJ-8 数据手册

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