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GM71CS4800AT-10

更新时间: 2024-01-10 18:24:37
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
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19页 1003K
描述
x8 Fast Page Mode DRAM

GM71CS4800AT-10 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.81
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:100 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP28,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024自我刷新:YES
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.09 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

GM71CS4800AT-10 数据手册

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