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GM71CS16163CLT-7

更新时间： 2024-02-14 11:48:05
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 126K
描述
x16 EDO Page Mode DRAM

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GM71CS16163CLT-7 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：70 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATIONI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP44/50,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
自我刷新：YES最大待机电流：0.00015 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GM71CS16163CLT-7 数据手册

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GM71C16163C  
GM71CS16163CL  
Capacitance (VCC = 5V+/ - 10%, TA = 25C)  
Symbol  
Parameter  
Input Capacitance (Address)  
Input Capacitance (Clocks)  
Output Capacitance (Data-In/Out)  
Min  
Max  
Unit  
pF  
Note  
1
CI1  
-
-
-
5
7
7
pF  
CI2  
1
pF  
CI/O  
1, 2  
Note: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.  
2. CAS = VIH to disable DOUT  
.
AC Characteristics (VCC = 5V+/- 10%, TA = 0 ~ +70C, Vss = 0V) Note 1, 2, 18, 19, 20  
Test Conditions  
Input rise and fall times : 2 ns  
Input timing reference levels : 0.8V, 2.4V  
Output timing reference levels : 0.8V, 2.0V  
Output load : 1TTL gate + CL (100 pF)  
(Including scope and jig)  
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common Parameters)  
GM71C(S)16163 GM71C(S)16163 GM71C(S)16163 GM71C(S)16163  
C/CL-5  
C/CL-6  
C/CL-7  
C/CL-8  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max Min Max  
Random Read or Write Cycle Time  
RAS Precharge Time  
84  
30  
-
-
104  
40  
-
-
124  
50  
-
-
144  
60  
-
-
ns  
ns  
t
RC  
tRP  
CAS Precharge Time  
7
-
10  
60  
-
13  
70  
-
15  
80  
-
ns  
ns  
t
CP  
t
RAS  
CAS  
ASR  
RAH  
ASC  
CAH  
RCD  
RAD  
RSH  
CSH  
CRP  
OED  
DZO  
DZC  
RAS Pulse Width  
50 10,000  
7 10,000  
10,000  
10,000  
10,000  
t
CAS Pulse Width  
10 10,000  
13 10,000  
15 10,000 ns  
t
Row Address Set up Time  
Row Address Hold Time  
Column Address Set-up Time  
0
7
0
7
-
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
ns  
ns  
t
t
ns  
ns  
ns  
21  
t
Column Address Hold Time  
RAS to CAS Delay Time  
RAS to Column Address Delay Time  
RAS Hold Time  
10  
13  
15  
21  
3
11 37  
14 45  
12 30  
14 52  
12 35  
20 60  
t
t
9
10  
35  
5
25  
-
15 40 ns  
4
t
13  
40  
5
-
-
13  
45  
5
-
-
18  
50  
5
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
CAS Hold Time  
-
23  
22  
t
CAS to RAS Precharge Time  
OE to DIN Delay Time  
-
-
-
-
t
t
13  
0
-
15  
0
-
18  
0
-
20  
0
-
5
6
6
7
t
OE Delay Time from DIN  
CAS Delay Time from DIN  
TransitionTime (Rise and Fall)  
-
-
-
-
0
-
0
-
0
-
0
-
t
tT  
2
50  
2
50  
2
50  
2
50  
Rev 0.1 / Apr’01  
12345678...13

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