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GM71C4403CJ-70

更新时间： 2024-01-18 08:22:07
品牌 Logo 应用领域
乐金电子 - LG 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 112K
描述
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM

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GM71C4403CJ-70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：70 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J20JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：20
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ20/26,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
自我刷新：NO最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GM71C4403CJ-70 数据手册

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LG Semicon  
GM71C4403C  
Write Cycle  
Symbol  
GM71C4403 GM71C4403 GM71C4403  
C-60 C-70 C-80  
Unit Note  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
t
t
t
t
t
t
WCS  
WCH  
WP  
Write Command Setup Time  
Write Command Hold Time  
Write Command Pulse Width  
Write Command to RAS Lead Time  
Write Command to CAS Lead Time  
Data-in Setup Time  
0
10  
10  
10  
10  
0
-
-
-
-
-
-
-
0
13  
10  
13  
13  
0
-
-
-
-
-
-
-
0
15  
10  
15  
15  
0
-
-
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
10  
RWL  
CWL  
DS  
11  
11  
DH  
Data-in Hold Time  
10  
13  
15  
Read- Modify-Write Cycle  
GM71C4403 GM71C4403 GM71C4403  
C-60 C-70 C-80  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
t
t
t
t
RWC  
RWD  
CWD  
AWD  
OEH  
Read-Modify-Write Cycle Time  
RAS to WE Delay Time  
133  
77  
32  
47  
15  
-
-
-
-
-
159  
90  
38  
55  
18  
-
-
-
-
-
183  
102  
42  
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
10  
10  
10  
CAS to WE Delay Time  
Column Address to WE Delay Time  
OE Hold Time from WE  
62  
20  
Refresh Cycle  
Symbol  
GM71C4403 GM71C4403 GM71C4403  
C-60 C-70 C-80  
Unit Note  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
t
CSR  
CAS Set-up Time  
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)  
10  
10  
-
-
10  
10  
-
-
10  
10  
-
-
ns  
ns  
CHR  
CAS Hold Time  
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)  
t
t
RPC  
CPN  
RAS Precharge to CAS Hold Time  
CAS Precharge Time in Normal Mode  
10  
10  
-
-
10  
13  
-
-
10  
15  
-
-
ns  
ns  
6
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