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GM71C4403CJ-70

更新时间： 2024-01-03 00:40:29
品牌 Logo 应用领域
乐金电子 - LG 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 112K
描述
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM

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GM71C4403CJ-70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：70 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J20JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：20
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ20/26,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
自我刷新：NO最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GM71C4403CJ-70 数据手册

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LG Semicon  
GM71C4403C  
18. Either tRCH or tRRH must be satisfied.  
tRAS(min) = tRWD(min) + tRWL(min) + tT in Read - Modify - Write cycle.  
19.  
20. tCAS(min) = tCWD(min) + tCWL(min) + tT in Read - Modify - Write cycle.  
tOFF and tOFR are determined by the later rising edge of RAS or CAS.  
tCSH(min) can be achieved when tRCD <= tCSH(min) - tCAS(min).  
21.  
22.  
23. EDO Hi-Z control by OE or WE. OE rising edge disables data outputs. When OE goes high  
during CAS high, the data will not come out until next CAS access. When WE goes low  
during CAS high, the data will not come out until next CAS access.  
24. tHPC(min) can be achieved during a series of EDO mode write cycles or EDO mode read  
cycles. If both write and read operation are mixed in a EDO mode RAS cycle(EDO mode  
mix cycle (1),(2) ) minimum value of CAS cycle (tCAS + tCP + 2tT) becomes greater than the  
specified tHPC(min) value.The value of CAS cycle time of mixed EDO mode is shown in  
EDO mode mix cycle (1) and (2).  
9
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