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GM71C4400CR-80

更新时间： 2024-01-19 06:55:23
品牌 Logo 应用领域
乐金电子 - LG 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 107K
描述
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM

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GM71C4400CR-80 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：TSOP, TSOP20/26,.36Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75Is Samacsys：N
最长访问时间：80 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G20JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：4端子数量：20
字数：1048576 words字数代码：1000000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP20/26,.36封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
反向引出线：YES自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.09 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

GM71C4400CR-80 数据手册

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GM71C(S)4400C/CL  
LG Semicon  
Capacitance (VCC = 5V+/-10%, TA = 25C)  
Symbol  
CI1  
Parameter  
Min  
Max  
5
Unit  
§Ü  
Note  
1
Input Capacitance (Address)  
-
-
-
§Ü  
CI2  
Input Capacitance (Clocks)  
7
1
§Ü  
CI/O  
Data Input, Output Capacitance (Data-In, Out)  
10  
1, 2  
Note: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.  
2. CAS = VIH to disable DOUT  
.
AC Characteristics (VCC = 5V+/-10%, TA = 0 ~ 70C, Notes 1, 14, 15, 16)  
Test Conditions  
§Ü  
)
Input rise and fall times: 5ns  
Output load : 2 TTL gate + C  
L
(100  
Input, output timing reference levels: 0.8V, 2.4V  
(Including scope and jig)  
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common Parameters)  
GM71C(S)4400 GM71C(S)4400 GM71C(S)4400  
C/CL-60  
C/CL-70  
C/CL-80  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
RC  
Random Read or Write Cycle Time  
RAS Precharge Time  
110  
40  
-
-
130  
50  
-
-
150  
60  
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
RP  
RAS  
CAS  
ASR  
RAH  
ASC  
CAH  
RCD  
RAD  
RSH  
CSH  
CRP  
ODD  
DZO  
DZC  
T
RAS Pulse Width  
60 10,000  
15 10,000  
70 10,000  
20 10,000  
80 10,000  
20 10,000  
CAS Pulse Width  
Row Address Set-up Time  
Row Address Hold Time  
Column Address Set-up Time  
Column Address Hold Time  
RAS to CAS Delay Time  
RAS to Column Address Delay Time  
RAS Hold Time  
0
10  
0
-
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
15  
15  
15  
20 45  
15 30  
20 50  
15 35  
20 60  
15 40  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
8
9
15  
60  
10  
15  
0
-
-
-
-
-
-
20  
70  
10  
20  
0
-
-
-
-
-
-
20  
80  
10  
20  
0
-
-
-
-
-
-
CAS Hold Time  
CAS to RAS Precharge Time  
OE to DIN Delay Time  
OE Delay Time from DIN  
CAS Set-up Time from DIN  
0
0
0
Transition Time  
(Rise and Fall)  
3
50  
3
50  
3
50  
ns  
7
Refresh Period  
-
-
16  
-
-
16  
-
-
16  
ms  
ms  
t
REF  
Refresh Period (L-version)  
128  
128  
128  
4
1234567...9

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