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GM71C4400CR-80

更新时间： 2024-01-30 01:11:43
品牌 Logo 应用领域
乐金电子 - LG 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 107K
描述
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM

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GM71C4400CR-80 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：TSOP, TSOP20/26,.36Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75Is Samacsys：N
最长访问时间：80 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G20JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：4端子数量：20
字数：1048576 words字数代码：1000000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP20/26,.36封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
反向引出线：YES自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.09 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

GM71C4400CR-80 数据手册

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GM71C(S)4400C/CL  
LG Semicon  
DC Electrical Characteristics (VCC = 5V+/-10%, TA = 0 ~ 70C)  
Symbol  
Parameter  
Min Max Unit Note  
VOH  
Output Level  
“H”  
2.4  
0
VCC  
V
V
Output  
Output Level  
“L”  
Level Voltage (IOUT = -5mA)  
VOL  
ICC1  
0.4  
Output  
Level Voltage (IOUT = 4.2mA)  
OperatingCurrent  
Average Power Supply Operating Current  
(RAS, CAS, Address Cycling: tRC = tRC min)  
60ns  
70ns  
80ns  
-
-
-
110  
100  
90  
mA 1, 2  
mA  
ICC2  
ICC3  
Standby Current (TTL)  
Power Supply Standby Current  
(RAS, CAS= VIH, DOUT = High-Z)  
-
2
RAS-Only Refresh Current  
Average Power Supply Current  
RAS-Only Refresh Mode  
60ns  
70ns  
80ns  
60ns  
70ns  
-
-
-
-
-
110  
100  
90  
mA  
2
(RAS Cycling, CAS = VIH, tRC = tRC min)  
Fast Page Mode Current  
Average Power Supply Current  
Fast Page Mode  
ICC4  
110  
100  
mA 1, 3  
(RAS = VIL, CAS, Address Cycling: tPC = tPC min)  
80ns  
-
-
90  
1
Standby Current (CMOS)  
Power Supply Standby Current  
(RAS, CAS >= VCC - 0.2V , DOUT=High-Z)  
ICC5  
ICC6  
mA  
5
-
200 uA  
110  
4, 5  
CAS-before-RAS Refresh Current  
(tRC = tRC min)  
60ns  
70ns  
80ns  
-
-
-
100  
90  
mA  
ICC7  
ICC8  
Battery Back Up Current (Standby with CBR Refresh)  
(tRC=125us, tRAS<=1us, WE=VIH, CAS=VIL,  
OE, Address and DIN=VIH or VIL, DOUT=High-Z)  
-
-
300 uA  
4, 5  
1
Standby Current RAS = VIH  
CAS = VIL  
5
mA  
DOUT = Enable  
II(L)  
Input Leakage Current  
Any Input (0V<=VIN<=7V)  
-10  
-10  
10  
10  
uA  
uA  
Output Leakage Current  
(DOUT is Disabled, 0V<=VOUT<=7V)  
IO(L)  
Note: 1. ICC depends on output load condition when the device is selected. ICC(max) is specified at the output  
open condition.  
2. Address can be changed once or less while RAS = VIL  
.
3. Address can be changed once or less while CAS = VIH  
.
4. L-version.  
5. VCC-0.2V<=VIH<=6.5V, 0V<=VIL<=0.2V.  
3
1234567...9

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