是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 100 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PZIP-T40 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 40 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | ZIP |
封装等效代码: | ZIP40,.1 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 1024 | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.0002 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | ZIG-ZAG | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GM71C4170ALZ-70 | ETC | x16 Fast Page Mode DRAM |
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GM71C4170ALZ-80 | ETC | x16 Fast Page Mode DRAM |
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GM71C4170AR-10 | ETC | x16 Fast Page Mode DRAM |
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GM71C4170AR-70 | ETC | x16 Fast Page Mode DRAM |
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GM71C4170AR-80 | HYNIX | Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40 |
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GM71C4170AT-10 | ETC | x16 Fast Page Mode DRAM |
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