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GIB1402-HE3/45

更新时间： 2024-01-12 22:46:52

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
4页	82K
描述
DIODE 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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GIB1402-HE3/45 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Base Number Matches：	1

GIB1402-HE3/45 数据手册

GIB1401 thru GIB1404

Vishay General Semiconductor

100

1000

100

T_J= 25 °C

f = 1.0 MHz

V_sig= 50 mVp-p

T_J= 125 °C

T_J= 25 °C

Pulse Width = 300 µs

1 % Duty Cycle

0.1

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.1

100

Reverse Voltage (V)

Instantaneous Forward Voltage (V)

Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics

Figure 5. Typical Junction Capacitance

100

T_J= 125 °C

T_J= 100 °C

0.1

T_J= 25 °C

0.01

100

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)

TO-263AB

0.411 (10.45)

0.380 (9.65)

0.245 (6.22)

MIN.

0.190 (4.83)

Mounting Pad Layout

0.42 (10.66) MIN.

0.055 (1.40)

0.045 (1.14)

0.160 (4.06)

0.055 (1.40)

0.047 (1.19)

0.33 (8.38) MIN.

0.360 (9.14)

0.624 (15.85)

0.320 (8.13)

0.591 (15.00)

0.670 (17.02)

0.591 (15.00)

0 to 0.01 (0 to 0.254)

0.110 (2.79)

0.090 (2.29)

0.021 (0.53)

0.014 (0.36)

0.037 (0.940)

0.15 (3.81) MIN.

0.027 (0.686)

0.105 (2.67)

0.095 (2.41)

0.08 (2.032) MIN.

0.140 (3.56)

0.110 (2.79)

0.205 (5.20)

0.195 (4.95)

0.105 (2.67)

0.095 (2.41)

Document Number: 88632

Revision: 30-Aug-07

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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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